覆銅板介電常數(shù)損耗測(cè)試儀在相同添加量情況下，ｌＯＯｎｍ制備的復(fù)合材料的介電常數(shù)明顯高于添加其他顆粒大小的復(fù)合材料。這表明添加近ｌＯＯｎｍＢＴ的復(fù)合材料的界面極化能力介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。隨著頻率的升高，復(fù)合材料的介電損耗都是先降低在急劇升高。復(fù)合材料的介電損耗大致有兩種，一種為極化損耗，一種為電導(dǎo)損耗。在低頻條件下，大多發(fā)生電導(dǎo)損耗。通常情況下在頻率１００ｋＨｚ以下時(shí)，由于復(fù)合材料的介電常數(shù)較高且隨著頻率的升高而降低，因此其電導(dǎo)損耗也較高且隨著頻率的升高而降低。而隨著頻率高過１００ｋＨｚ時(shí)，復(fù)合材料材料的電導(dǎo)損耗降低，其主要為極化損耗，由于電介質(zhì)的分子為極性分子，在高頻情況下分子得到轉(zhuǎn)向和位移極化都會(huì)需要一定的時(shí)間，而這個(gè)極化時(shí)間就導(dǎo)致電介質(zhì)的極化與外加電場(chǎng)有一個(gè)相位差，而因?yàn)檫@個(gè)相位差就導(dǎo)致了極化損耗＾＿６８１。隨著ＢＴ含量的增加，在低頻的情況下越高濃度復(fù)合材料介電損耗會(huì)越高。但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料，在高頻的情況下其介電損耗會(huì)比低濃度復(fù)合材料介電損耗低。這主要是因?yàn)樵诘皖l情況下，添加ＢＴ顆粒會(huì)增加其本身的介電常數(shù)因?yàn)樵黾恿穗妼?dǎo)損耗，但隨著頻率的增高，在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料薄膜，在高頻的情況下，其介電損耗會(huì)比在低頻具有低介電損耗的復(fù)合材料薄膜的低，也就是倒置現(xiàn)象。這主要是因?yàn)椋拢允欠菢O性的納米顆粒，隨著ＢＴ含量的增加導(dǎo)致了極化的降低。純的ＰＶＤＦ介電損耗為０．０５８。在４０ｗｔ％添加量時(shí)，５０ｎｍ制備的復(fù)合材料介電損耗為０．１７為純的ＰＶＤＦ的３倍。

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至*,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量時(shí)更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

覆銅板介電常數(shù)損耗測(cè)試儀復(fù)合材料介電常數(shù)隨頻率變化關(guān)系圖，范圍為１００Ｈｚ至１ＭＨｚ。純ＰＶＤＦ在１００Ｈｚ時(shí)的介電常數(shù)為７．８９。１１可知，從１００ＨＺ直到１ＭＨｚ時(shí)，復(fù)合材料的介電常數(shù)都會(huì)略有下降，這種趨勢(shì)在１００ｋＨｚ以上時(shí)更為明顯［６５１。當(dāng)４０ｗｔ％添加量時(shí)，１００ｎｍ制備的復(fù)合材料介電常數(shù)最大，１００Ｈｚ時(shí)，介電常數(shù)為２０．３是原始ＰＶＤＦ膜的２．５７倍。引起介電常數(shù)提高的原因可以歸因于引入高介電常數(shù)填料。